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CVD合议制备单根磷掺杂P型ZnO纳米线

白文采纳化学气相沉积法(CVD)制备了磷掺杂p型ZnO纳米线,况且用扫描电子显微谱(SEM),拉曼谱(RM),X光衍射谱(XRD)以及光致发亮谱对其性质继续表征;经过“lift-off”合议制备了单根磷掺杂ZnO纳米线的场效应管,并对其电学性质继续表征,纳米线的载流子深浅和迁徙率别离为1.51109cm-1和0.803cm2/(VS)。
   ZnO是一种II-VI族间接宽禁带复合物半超导体资料,室温下,其禁带幅度为Eg=3.37eV,旋片式真空泵激子禁锢能为60meV(GaN21meV),激子增值也能够达成320cm-1。ZnO的该署非凡的光电性质使其变成现实的室温短跨度发亮器件资料,无望开收回ZnO基紫外探测器、发亮二极管(LED)、半超导体莱塞(LD)等,可宽泛用来光通信网络、光电预示、光电贮存、光电转化和光电探测等畛域。另外,ZnO纳米构造品种丰盛,制备工艺简便,因此在纳米电子学、纳米光电子学以及生物高科技上面有很好的利用潜能。眼前,一些性能器件,如基于单根纳米线的场效应管[1]、生物探测器以及基于纳米阵列的纳米莱塞已被制备进去。然而,要失掉更多的性能器件,良好的p型ZnO纳米线和良好的n型ZnO纳米线都是不行或缺的。本征的ZnO纳米线因为本征缺点(氧空位Vo,锌间隙Zni)的存在,为电子导热,呈n型,良好的n型ZnO结晶体比拟轻易失掉;p型ZnO纳米线因为本征缺点对受主杂质产生高低的自弥补作用,难以兑现p型转变,不足良好的p型ZnO纳米线已变成制约ZnO基纳米器件停滞的瓶颈。1.试验
   以ZnO粉末和石墨粉末(纯度为99.85%)混合物作为反响源,以P2O5作为磷源,以高纯氩作为载气,在管式炉中继续反响,试验安装见图1。采纳p型(100)硅片作为基板,基板充足荡涤后运用真空热挥发步骤在硅片名义镀一层约10nm厚的金膜,镀膜时真空度为2×10-3Pa。将摩尔比为1:3的ZnO粉末和石墨粉末的混合物放入一端住口的石英管底部,将基片也放入石英管,与反响源的间隔为70mm,将石英管搁置于程度搁置的管式电阻炉(SK2–4-10)的候温区,密封端对着进气口。
图1CVD合议制备磷掺杂ZnO纳米线的安装图
   反响时,先将石英管和磷源置于炉口,水环式真空泵向电阻炉通80sccm流量的高纯氩气60min,作为掩护气体,接着以25℃/min的进度将热度加热至945℃,热度达成后,将石英管移至电阻炉地方的候温区,在945℃热度下维持候温30min继续反响,反响实现后,将石英管拖至炉口,停留反响,使样品做作结冰至室温。存入样品后发现基片海域有红色絮状物质产生,即为所得磷掺杂ZnO纳米线。
   反响机制为气液固(VLS)机制,如次:Au膜受热构成金液滴,ZnO被石墨还原构成Zn蒸汽,放散至基板处,与氧源产生反响,在Au液滴的诱导作用下构成ZnO纳米线,与此同声,P2O5受热放散至基板上方,被还原,构成磷蒸汽,随着ZnO纳米线的成长而掺杂出来。
方程式如次:
   反响源海域:ZnO+C→Zn(g)+CO(g)
   ZnO+CO(g)→Zn(g)+CO2(g)
   基片海域:P2O5+C→P(g)+CO(g)
   P2O5+Zn→P(g)+ZnO(g)
   Zn(g)+CO2(g)→ZnO+CO(g)
   (1-x)CO(g)+ZnO→ZnOx+(1-x)CO2(g)(0<x<1)
   不加磷源,其它步调彻底相反,能够制备本征ZnO纳米。2、后果与探讨:2.1、SEM形貌表征
图2磷掺杂ZnO纳米线的SEM图
   样品的扫描电子显微镜照片如图2所示,居中能够看到,制备失去的ZnO纳米线直径约200-300nm,长短在10μm之上。2.2、Raman表征
   图3样品1为本征的未通过退火解决的ZnONWS;2为P掺杂的但未退火的ZnONWS;3为通过退火解决的本征ZnONWS;4为P掺杂的且通过退火解决的ZnONWS;退火热度800°C,退火工夫5秒钟,80sccm氩气气氛下波数在437cm-1左右的峰为E2(high)声子振动模[4-5],比拟样品1和2的Raman图,可见,样品1的E2(high)的峰位为436.64cm-1,样品2的峰位为440.45cm-1,掺杂后峰位蓝移了3.81cm-1,这是因为磷杂质掺入ZnONWS,使ZnO晶格的应力产生变迁造成的[5],且磷原子团多以填隙的形式存在于ZnONWS中,对晶格产生压应力,从而使E2(high)峰位蓝移。将样品1和2别离退火失去样品3和样品4,由图中可见,样品3和4的E2(high)峰位别离为436.84cm-1和439.86cm-1,峰位蓝移了3.02cm-1,小于退火前的3.81cm-1,这注明退火使全体磷原子团放散进入ZnO晶格,产生替位,从而使全体压应力失去开释。
   波数在576cm-1左右的峰是ZnO的A1(LO)声子振动模[4-5],是由氧空位,锌间隙,杂质等缺点导致的峰。在本征的ZnONWS中看得见某个振动格式,注明某个峰不是由氧空位,锌间隙等本征缺点导致的,在退火前的磷掺杂纳米线中也看得见某个峰,在退火后,某个峰才涌现,这注明退火前,磷杂质是以填隙的形式存在的,尚未产生氧替位,退火内中中,磷原子团取代氧原子团构成新的化学键,从而涌现新的振动格式。
   另外,在P掺杂且退过分的样品中,在波数为556.53cm-1处,还涌现了新的峰位,眼前尚未发现无关此峰位涌现的起因的简报,咱们觉得某个峰也是由掺杂导致的新的振动模。
   样品1,2,3,4的E2(high)的半高宽别离为15.288cm-1、15.602cm-1、18.303cm-1、19.306cm-1,比拟样品1和2,E2(high)的峰的半高宽由15.288cm-1变为15.602cm-1,展宽了0.314cm-1;比拟样品3和4,其E2(high)的峰的半高宽由18.303cm-1变为19.306cm-1,展宽了1.003cm-1。这注明磷杂质的掺入是纳米线的晶格构造变差,从而使峰的半高宽展宽[4]。
 

  

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